
模擬開關(guan)
模擬開關(guan) 是電子開關(guan) 的一種,為(wei) 了導通(或隔離)模擬信號(包括電壓和電流信號)以及支持模擬應用(例如音頻和視頻數據傳(chuan) 輸)而設計的。需要注意跟負載開關(guan) 做區分,負載開關(guan) 是可以通過大電流的,因為(wei) 其導通內(nei) 阻很小。模擬開關(guan) 本質上是在係統接口資源不夠時,進行分時複用,提供一種高性價(jia) 比的解決(jue) 方案。
模擬開關(guan) 內(nei) 部的等效電路,由NMOS和PMOS管並聯組成,這樣可以做到輸入輸出都能達到軌到軌,而且模擬開關(guan) 的信號流是雙向的,不區分方向。COM 引腳表示公共端,NC 引腳表示常閉端,也就是 Control引腳為(wei) 低電平時開關(guan) 的狀態。NO引腳表示常開端,也就是 Control 引腳為(wei) 高電平時開關(guan) 的狀態。

潤石模擬開關(guan) 選型表
模擬開關(guan) 的主要參數
1、電壓範圍
a、供電電壓範圍:開關(guan) 供電電壓指的是加在芯片供電端的電壓值,分為(wei) 支持正負供電和不支持正負供電兩(liang) 種情況。供電範圍也決(jue) 定了信號可以無削波的傳(chuan) 輸幅度。
b、模擬電壓範圍:在NC,NO,COM這些端口上允許通過的電壓範圍。一般為(wei) 0-Vcc或者VDD-VEE=Spe
2、泄露電流
在開關(guan) 導通/關(guan) 斷的時候,在源極(S)和漏極(D)測到的非理想的電流值。如果通過模擬開關(guan) 前端電路的阻抗大則漏電流的影響不容忽略,如果前端電路阻抗較小,則導通電阻的影響就會(hui) 更大些。
3、導通電阻
開關(guan) 路徑接通後插入信號路徑的電阻。 導通電阻會(hui) 隨著輸入電壓值改變。導通電阻平坦度 (RON FLAT) - VD 或 VS 電壓範圍下,同一通道內(nei) Ron 最大值與(yu) 最小值之間的差值。
4、允許通過電流(與(yu) 導通電阻相關(guan) )
開關(guan) 閉合後,開關(guan) 允許流過的電流大小,考慮到導通電阻,越大電流帶來的電壓損失越大,功耗/發熱也會(hui) 越大
5、帶寬
可通過開關(guan) 且衰減不超過 3dB 的信號頻率範圍
6、開關(guan) 控製信號電平(VIH、VIL)
開關(guan) 更改內(nei) 部信號路徑所需的控製引腳(EN、SEL、IN 等)上所需的電壓電平。
a、VIH – 輸入控製信號實現邏輯 "1"高 值的最小電壓
b、VIL – 輸入控製信號保持邏輯 "0"低 值的最大電壓
7、寄生電容
導通寄生電容:開關(guan) 路徑處於(yu) 低阻抗狀態時的電容性負載。
關(guan) 斷寄生電容:開關(guan) 路徑處於(yu) 高阻抗狀態時的電容性負載。
8、開關(guan) 時間
ton/toff--在地址信號上升或下降超過邏輯閾值後,開關(guan) 輸出上升或下降到最終值的給定百分比內(nei) 所需的時間。
t (BBM)--先斷後合時間: 開關(guan) 在切換通道的時候會(hui) 先段開原有的連接再與(yu) 新的路徑連接。確保在多路複用器中,當通過選擇輸入改變信號路徑時,兩(liang) 個(ge) 多路複用器路徑絕不會(hui) 形成電氣連接。
9、隔離度 & 串擾度
關(guan) 斷隔離 (OISO):測量關(guan) 斷狀態開關(guan) 阻抗。這是 VD1 與(yu) VS1 之比,以 dB 為(wei) 單位,當相應通道處於(yu) 關(guan) 斷狀態時,在特定頻率下測量得出。
通道間串擾 (XTALK) :對從(cong) 導通通道到關(guan) 斷通道之間不必要的信號耦合的一種量度。這是 VS2 與(yu) VS1 之比,在特定頻率下測量得出並以 dB 為(wei) 單位。


2022-04-25


