2021-12-01在選擇運算放大器時應該知道自己的設計需求是什麽(me) ，從(cong) 而在運放參數表中來查找。一般來說在設計中需要考慮的問題包括：
1、運放供電電壓大小和方式選擇；
2、運放封裝選擇；
3、運放反饋方式，即是VFA (電壓反饋運放)還是CFA(電流反饋運放)；
4、運放帶寬；
5、偏置電壓和偏置t電流選擇；
6、溫漂；
7、壓擺率；
8、運放輸入阻抗選擇；
9、運放輸出驅 動能力大小選擇；
10、運放靜態功耗，即ICC電流大小選擇；
11、運放噪聲選擇；
12、運放驅動負載穩定時間等等。
偏置電壓和輸入偏置電流
在精密電路設計中，偏置電壓是一個(ge) 關(guan) 鍵因素。對於(yu) 那些經常被忽視的參數，諸如隨溫度而變化的偏置電壓漂移和電壓噪聲等，也必須測定。精確的放大器要求偏置電壓的漂移小於(yu) 200μV和輸入電壓噪聲低於(yu) ６nV/√Hz。隨溫度變化的偏置電壓漂移要求小於(yu) 1μV/℃ 。
低偏置電壓的指標在高增益電路設計中很重要，因為(wei) 偏置電壓經過放大可能引起大電壓輸出，並會(hui) 占據輸出擺幅的一大部分。溫度感應和張力測量電路便是利用精密放大器的應用實例。
低輸入偏置電流有時是必需的。光接收係統中的放大器就必須具有低偏置電壓和低輸入偏置電流。比如光電二極管的暗電流電流為(wei) pA量級，所以放大器必須具有更小的輸入偏置電流。CMOS和JFET輸入放大器是目前可用的具有最小輸入偏置電流的運算放大器。
1、輸入失調電壓VIO（Input Offset Voltage）
輸入失調電壓定義(yi) 為(wei) 集成運放輸出端電壓為(wei) 零時，兩(liang) 個(ge) 輸入端之間所加的補償(chang) 電壓。
輸入失調電壓實際上反映了運放內(nei) 部的電路對稱性，對稱性越好，輸入失調電壓越小。輸入失調電壓是運放的一個(ge) 十分重要的指標，特別是精密運放或是用於(yu) 直流放大時。
2、輸入失調電壓的溫漂αVIO（Input Offset Voltage Drift）
輸入失調電壓的溫度漂移（又叫溫度係數）定義(yi) 為(wei) 在給定的溫度範圍內(nei) ，輸入失調電壓的變化與(yu) 溫度變化的比值。
這個(ge) 參數實際是輸入失調電壓的補充，便於(yu) 計算在給定的工作範圍內(nei) ，放大電路由於(yu) 溫度變化造成的漂移大小。一般運放的輸入失調電壓溫漂在±10~20μV/℃之間，精密運放的輸入失調電壓溫漂小於(yu) ±1μV/℃。
3、輸入偏置電流IB（Input Bias Current）
在使用運放中可能還會(hui) 遇到一個(ge) 輸入偏置電流IB，輸入偏置電流是指第一級放大器輸入晶體(ti) 管的基極直流電流。這個(ge) 電流保證放大器工作在線性範圍，為(wei) 放大器提供直流工作點。
輸入偏置電流定義(yi) 為(wei) 當運放的輸出直流電壓為(wei) 零時，其兩(liang) 輸入端的偏置電流平均值。
輸入偏置電流對進行高阻信號放大、積分電路等對輸入阻抗有要求的地方有較大的影響。輸入偏置電流與(yu) 製造工藝有一定關(guan) 係，其中雙極型工藝（即上述的標準矽工藝）的輸入偏置電流在±10nA~1μA之間；采用場效應管做輸入級的，輸入偏置電流一般低於(yu) 1nA。
對於(yu) 雙極性運放，該值離散性很大，但幾乎不受溫度影響；而對於(yu) MOS型運放，該值是柵極漏電流，值很小，但受溫度影響較大。
4、輸入失調電流（Input Offset Current）
輸入失調電流 offset current，是指兩(liang) 個(ge) 差分輸入端偏置電流的誤差。
輸入失調電流定義(yi) 為(wei) 當運放的輸出直流電壓為(wei) 零時，其兩(liang) 輸入端偏置電流的差值。
輸入失調電流同樣反映了運放內(nei) 部的電路對稱性，對稱性越好，輸入失調電流越小。輸入失調電流是運放的一個(ge) 十分重要的指標，特別是精密運放或是用於(yu) 直流放大時。輸入失調電流大約是輸入偏置電流的百分之一到十分之一。輸入失調電流對於(yu) 小信號精密放大或是直流放大有重要影響，特別是運放外部采用較大的電阻（例如10k或更大時），輸入失調電流對精度的影響可能超過輸入失調電壓對精度的影響。輸入失調電流越小，直流放大時中間零點偏移越小，越容易處理。所以對於(yu) 精密運放是一個(ge) 極為(wei) 重要的指標。
