2021-12-22晶圓和芯片的關(guan) 係
芯片是由多個(ge) 半導體(ti) 器件組成，半導體(ti) 一般有二極管、三極管、場效應管、小功率電阻、電感、電容等等。
在襯底上使用摻雜技術，改變本征半導體(ti) 中自由（電子）或者（空穴）的濃度，以此得到N區或者P區。矽、鍺、是常用的半導體(ti) 材料 他們(men) 的特性及材質是容易大量並且成本低廉的得到N型摻雜或者P型摻雜。
一片晶圓包括了大量的芯片，這些芯片就是按照芯片設計者的電路刻蝕在單個(ge) 矽片上，取出單個(ge) 的芯片封裝後就是我們(men) 看到的IC芯片了
一片晶圓上有多少顆芯片
這個(ge) 是由芯片的大小和晶圓的大小以及良率來決(jue) 定的
目前業(ye) 界所謂的6吋、8吋、12吋還是18吋晶圓其實就是晶圓直徑的簡稱，（江蘇潤石大部分產(chan) 品是8吋晶圓製作）隻不過這個(ge) 吋是估算值。實際上的晶圓直徑有如100mm，150mm，300mm，而12吋約等於(yu) 300mm，為(wei) 了稱呼方便所以稱之為(wei) 12吋晶圓。
上述公式給出了每片晶圓可以切割出的芯片成品數目的公式
那麽(me) 這就要考驗大家的計算能力了
假設12吋晶圓每片造價(jia) 5000美金，那麽(me) NVIDIA最新力作GT200的晶片大小為(wei) 576平方公厘，在良率95%的情況下，平均每顆成本是多少美金？
答案：USD.87.72
晶圓製作周期
包括江蘇潤石模擬芯片在內(nei) 的大部分國產(chan) 製作周期都在30-45天；當然像台積電這種國際巨頭這些通用模擬芯片20-30天就能製作完成；一片晶圓能切十幾K到上百K芯片。
晶圓尺寸發展曆史
關(guan) 於(yu) Wafer
wafer 即晶圓，由純矽（Si）構成。一般分為(wei) 6英寸、8英寸、12英寸規格不等，晶片就是基於(yu) 這個(ge) wafer上生產(chan) 出來的。Wafer上的一個(ge) 小塊，就是一個(ge) 晶片，學名die，封裝後就成為(wei) 一個(ge) IC。一片載有NAND Flash晶圓的wafer，wafer首先經過切割，然後測試，將完好的、穩定的、足容量的die取下，封裝形成日常所見的NAND Flash芯片。那麽(me) ，在wafer上剩餘(yu) 的，要不就是不穩定，要不就是部分損壞或者是完全損壞的die。原廠考慮到質量保證，會(hui) 將這種die宣布死亡，嚴(yan) 格定義(yi) 為(wei) 廢品全部報廢處理。
